[发明专利]一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及薄膜晶体管驱动背板有效
| 申请号： | 201310042927.7 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103094205A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;周雷;罗东向;徐华;李民;庞佳威;王琅;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 李慧 |
| 地址： | 510730 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及所制备的驱动背板，薄膜晶体管的制备工艺包括a.在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层；b.在所述栅极金属层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；d.在所述有源层上沉积第二绝缘薄膜，然后使用自对准曝光方法图形化所述第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层；e.在所述刻蚀阻挡层上沉积第三绝缘薄膜作为保护层，并图形化所述第三绝缘薄膜，刻蚀形成源漏电极区域；f.在所述保护层上制备并图形化金属薄膜层作为连接导线。本发明制备工艺简单，所制备的薄膜晶体管稳定性好、尺寸小，可实现薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 驱动 背板 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：a.在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层；b.在所述栅极金属层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；d.在所述有源层上沉积第二绝缘薄膜，然后使用自对准曝光方法图形化所述第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层；e.在所述刻蚀阻挡层上沉积第三绝缘薄膜作为保护层，并图形化所述第三绝缘薄膜，刻蚀形成源漏电极区域；f.在所述保护层上制备并图形化金属薄膜层，作为连接导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
