[发明专利]用于制造3D图像传感器结构的系统和方法有效
申请号: | 201310042268.7 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103579264A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;庄俊杰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于制造3D图像传感器结构的系统和方法。所述方法包括在衬底上提供具有背照式光敏区的图像传感器,将第一介电层施加到所述衬底的与收集图像数据的衬底侧相对的第一侧,将可选为多晶硅的半导体层施加到所述第一介电层。至少一个控制晶体管可制造在所述半导体层内的第一介电层上,并且可选为行选择、复位或源极跟随器晶体管。将金属间介电层施加在所述第一介电层上方,以及可具有设置在其中的至少一个金属互连件。可将第二层间介电层设置在控制晶体管上。可通过将晶圆接合到所述衬底或通过沉积来施加所述介电层以及半导体层。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 图像传感器 结构 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造图像传感器件的方法,包括:在衬底上提供图像传感器,所述图像传感器至少包括设置在所述衬底的第一侧上的光敏区;在所述衬底的第一侧施加第一介电层;在所述第一介电层上施加半导体层;在所述半导体层的上方形成至少一个晶体管;在所述至少一个晶体管及所述半导体层的上方施加金属间介电层;以及至少在所述金属间介电层中制造至少一个金属互连件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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