[发明专利]冶金多晶硅片磷吸杂方法及该法制成的硅片和太阳能电池

摘要

本发明提供一种冶金多晶硅片磷吸杂方法、由所述方法制成的硅片以及由所述硅片制成的太阳能电池。所述方法包括：腐蚀去除冶金多晶硅片表面损伤层；漂洗硅片并甩干；将硅片置于扩散炉中进行磷吸杂热处理，扩散磷源流量为650~700ml/min，干氧流量为500~700ml/min，扩散温度为920~970℃，扩散时间为30~45min，然后冷却硅片；腐蚀去除硅片表面由于磷扩散形成的吸杂层和PN结；漂洗硅片并甩干，得到磷吸杂后的冶金多晶硅片。所述硅片少子寿命明显提高，由所述硅片制成的太阳能电池的反向漏电流和光衰减明显降低，本发明方法磷吸杂处理扩散时间短，从而生产周期缩短、能耗降低，适于工业化生产。

主权项

一种冶金多晶硅片磷吸杂方法，其包括以下步骤：(1)于23‑25℃在氢氟酸、硝酸和去离子水的混合溶液中腐蚀去除冶金多晶硅片表面的损伤层，其中氢氟酸、硝酸和去离子水的体积比为HF:HNO3:H2O=1:3:2，腐蚀时间为15秒；(2)采用循环水浸泡的漂洗方式，使用去离子水于23‑25℃对步骤(1)得到的硅片进行1次3分钟的漂洗，然后于140~150℃在硅片旋转冲洗甩干机中进行400~430秒的甩干；(3)将步骤(2)得到的硅片置于扩散炉中进行磷吸杂热处理，扩散磷源为三氯氧磷，所述扩散磷源流量为650~700ml/min，干氧流量为500~700ml/min，扩散温度为920~970℃，扩散时间为30~45min，随后冷却该硅片；(4)在体积比为HF:HNO3:H2O=1:3:2的氢氟酸、硝酸和去离子水的混合溶液中对步骤(3)得到的硅片进行20秒的腐蚀，去除磷扩散形成的吸杂层和PN结；(5)采用循环水浸泡的漂洗方式，使用去离子水于23‑25℃对步骤(4)得到的硅片进行1次3分钟的漂洗，然后于140~150℃在硅片旋转冲洗甩干机中进行400~430秒的甩干，得到磷吸杂后的冶金多晶硅片。