[发明专利]等离子体单元以及制造等离子体单元的方法有效
| 申请号： | 201310040245.2 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103247502A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | D.梅因霍尔德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J17/04 | 分类号： | H01J17/04;H01J11/22;H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子体单元和制造等离子体单元的方法。等离子体单元以及用于制作等离子体单元的方法被公开。根据本发明的实施例，单元包括半导体材料、被部署在半导体材料中的开口、给开口的表面加衬里的介电层、使开口闭合的覆盖层、邻近开口部署的第一电极和邻近开口部署的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 单元 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单元，其包括：半导体材料；开口，所述开口被部署在半导体材料中；介电层，所述介电层给所述开口的表面加衬里；覆盖层，所述覆盖层使所述开口闭合；第一电极，所述第一电极邻近所述开口地被部署；以及第二电极，所述第二电极邻近所述开口地被部署。
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