[发明专利]等离子体单元以及制造等离子体单元的方法

权利要求书

1.一种单元，其包括：

半导体材料；

开口，所述开口被部署在半导体材料中；

介电层，所述介电层给所述开口的表面加衬里；

覆盖层，所述覆盖层使所述开口闭合；

第一电极，所述第一电极邻近所述开口地被部署；以及

第二电极，所述第二电极邻近所述开口地被部署。

2.根据权利要求1所述的单元，其中，第一电极和第二电极被部署在开口的相对侧上。

3.根据权利要求1所述的单元，其中，第一电极和第二电极被部署在开口的相同侧上。

4.根据权利要求1所述的单元，进一步包括被部署在开口中的惰性气体。

5.根据权利要求1所述的单元，其中，开口包括水平沟槽或深沟槽。

6.根据权利要求1所述的单元，其中，开口包括U形沟槽。

7.根据权利要求1所述的单元，其中，开口的表面包括第一侧壁、第二侧壁和底面，并且其中第一电极被部署在第一侧壁处，而第二电极被部署在第二侧壁处。

8.根据权利要求1所述的单元，其中，开口的表面包括第一侧壁、第二侧壁和底面，并且其中第一电极被部署在覆盖层上，而第二电极被部署在底面处。

9.根据权利要求8所述的单元，其中，第二电极是埋层。

10.根据权利要求1所述的单元，其中，开口包括具有第一侧壁的第一沟槽和具有第二侧壁的第二沟槽，其中第一沟槽被连接到第二沟槽，并且其中第一电极被部署在第一沟槽的顶面之上，而第二电极被部署在第二沟槽的第二顶面之上。

11.根据权利要求10所述的单元，其中，隔离区被部署在第一沟槽与第二沟槽之间。

12.根据权利要求1所述的单元，进一步包括集成电路。

13.一种面板，其包括：

半导体材料；以及

多个单元，其中每个单元都包括：

       开口，所述开口被部署在半导体材料中；

       介电层，所述介电层给开口的表面加衬里；

       覆盖层，所述覆盖层密封所述开口；

       第一电极，所述第一电极邻近所述开口地被部署；以及

       第二电极，所述第二电极邻近所述开口地被部署。

14.根据权利要求13所述的面板，其中，每个单元都进一步包括被部署在开口中的惰性气体。

15.根据权利要求13所述的面板，其中，每个单元的第一电极和第二电极都被部署在开口的相对侧上。

16.根据权利要求13所述的面板，其中，每个单元的第一电极和第二电极都被部署在开口的相同侧上。

17.根据权利要求13所述的面板，进一步包括集成电路。

18.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体材料中形成开口；

利用介电层给开口加衬里；

利用覆盖层使开口闭合；

邻近开口地形成第一电极；以及

邻近开口地形成第二电极。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，利用覆盖层使开口闭合包括：

利用牺牲材料填充开口；

在牺牲材料之上形成覆盖层；

在覆盖层中形成孔；以及

去除牺牲材料。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，利用覆盖层使开口闭合进一步包括在稀有气体气氛下通过CVD工艺或PVD工艺来使孔闭合。

21.根据权利要求18所述的方法，其中，形成第一电极和/或形成第二电极包括对半导体材料进行掺杂。

22.根据权利要求18所述的方法，其中，形成第一电极和/或第二电极包括在覆盖层上沉积多晶硅、掺杂的多晶硅或金属。

23.根据权利要求18所述的方法，进一步包括紧挨着开口地形成隔离区。