[发明专利]通电复位电路有效
| 申请号： | 201310035040.5 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103227626B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 冈智博 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 何欣亭,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种通电复位电路，其不论电源启动的状态如何而正常动作。一种通电复位电路，其由如下部分构成NMOS晶体管，其源极连接到第二电源端子，栅极连接到漏极；耗尽型NMOS晶体管，其源极连接到NMOS晶体管的漏极，漏极连接到第一电源端子，栅极连接到第二电源端子；PMOS晶体管，其源极连接到第一电源端子，栅极连接到NMOS晶体管的漏极；电容器，其一端连接到PMOS晶体管的漏极，另一端连接到第二电源端子；以及波形整形电路，其输入端子连接到PMOS晶体管的漏极，并由输出端子作为通电复位信号而输出。这样，在从任何电源电压开始的启动中，都实现准确的通电复位信号输出。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 复位 电路 | ||
【主权项】：
一种通电复位电路，具备：NMOS晶体管，其源极连接到第二电源端子，栅极连接到漏极；耗尽型NMOS晶体管，其源极连接到所述NMOS晶体管的漏极，漏极连接到第一电源端子，栅极连接到所述第二电源端子，所述耗尽型NMOS晶体管的阈值电压为负；PMOS晶体管，其源极连接到所述第一电源端子，栅极连接到所述NMOS晶体管的漏极；电容器，其一端连接到所述PMOS晶体管的漏极，另一端连接到所述第二电源端子；以及波形整形电路，其输入端子连接到所述PMOS晶体管的漏极，并由输出端子作为通电复位信号而输出。
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