[发明专利]防止沟槽式功率MOS晶体管体效应的工艺制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种防止沟槽式功率MOS晶体管体效应的工艺制备方法。主要是增加一道接触孔掺杂工艺，以保证接触孔下方一定范围内和体区掺杂同型。即当发生工艺偏差导致接触孔没有穿透源区时，由于接触增进区的存在，使得接触孔下方未穿透的源区薄层反型为和体区同型的掺杂类型，从而有效解决沟槽式功率MOS晶体管工艺制备中的体效应导致的失效。

主权项

一种防止沟槽式功率MOS晶体管体效应的工艺制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a、提供一半导体衬底，包含一底部衬底和在其上生长的一外延层，并在外延层的顶部形成体区，以及在体区和外延层中形成沟槽和在沟槽内形成栅极；b、在体区的顶部且围绕着沟槽形成源极区；c、在半导体衬底之上形成一介电层，该介电层同时将所述栅极予以覆盖；d、在所述介电层、半导体衬底中进行刻蚀，形成贯穿该介电层并延伸至半导体衬底内的接触孔，所述刻蚀终止于源极区中，使所述接触孔的底部位于源极区内；e、利用接触孔实施掺杂物植入，形成围绕在接触孔底部的具有第一深度的一接触区；f、利用接触孔实施掺杂物植入，形成具有第二深度的一接触增进区，所述接触区位于源极区内，所述接触增进区位于所述源极区和体区之间，其一部分位于源极区内并保持与所述接触区联接或者部分重叠，另一部分位于体区内；其中第二深度大于第一深度并且接触增进区与接触区邻接或者部分重叠，且所述接触增进区至少一部分位于所述体区中；g、在接触孔的底部和侧壁以及介电层上覆盖一金属阻挡层，并在接触孔内填充金属材料形成一金属插塞。