[发明专利]气体排放单元以及包括其的薄膜沉积装置无效
申请号: | 201310032307.5 | 申请日: | 2013-01-28 |
公开(公告)号: | CN103225072A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 韩炅燉;赵珍锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种气体排放单元以及包括其的薄膜沉积装置。该薄膜沉积装置包括:反应腔室;主盘,安装在反应腔室中;以及气体排放单元,设置在主盘外部。气体排放单元重新收集反应腔室中的气体,并包括:基底件,包括外侧壁、内侧壁以及连接外侧壁和内侧壁的下壁,并且是具有开口上部的环形件。至少一个通孔形成在下壁中。排放套管配置为插入到通孔中,其中在排放套管中形成气体出口。环形的上盖覆盖基底件的开口上部。在上盖中形成多个气体入口。 | ||
搜索关键词: | 气体 排放 单元 以及 包括 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜沉积装置,包括:反应腔室;主盘,安装在所述反应腔室中;以及气体排放单元,设置在所述主盘外部,配置为重新收集所述反应腔室中的气体,其中所述气体排放单元包括:基底件,包括外侧壁、内侧壁以及连接所述外侧壁和所述内侧壁的下壁,其中所述基底件包括具有开口上部的环形件,至少一个通孔设置在所述下壁中;排放套管,插入到所述至少一个通孔中,其中在所述排放套管中形成气体出口;以及上盖,包括覆盖所述基底件的所述开口上部的环形件,其中在所述上盖中形成多个气体入口。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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