[发明专利]电容式微硅麦克风的制造方法

摘要

本发明涉及一种电容式微硅麦克风的制造方法，包括如下步骤S1提供具有正面和背面的衬底；S2在衬底的正面淀积绝缘材料以形成第一绝缘层；S3在第一绝缘层上形成背极板；S4在背极板上形成若干声孔；S5在背极板上淀积绝缘材料以形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成振动体，于振动体上形成若干通孔；S6形成金属压焊点；S7在衬底上形成背腔，背腔自衬底的背面朝正面延伸并贯通衬底；以及，S8去除部分第一氧化层以露出背极板，去除振动体和背极板之间的部分第二氧化层，且未去除的第二氧化层形成用以支撑振动体的密封环，所形成的密封环和背极板、振动体围设形成腔体。

主权项

一种电容式微硅麦克风的制造方法，其特征在于：所述电容式微硅麦克风的制造方法包括如下步骤：S1：提供具有正面和背面的衬底；S2：在所述衬底的正面采用低压化学气相淀积工艺淀积绝缘材料以形成第一绝缘层；S3：在所述第一绝缘层上采用低压化学气相淀积工艺淀积多晶硅‑氮化硅‑多晶硅复合材料形成背极板；S4：在所述背极板上采用光刻、腐蚀掩膜和各向异性刻蚀工艺形成若干声孔；S5：在所述背极板上采用低压化学气相淀积工艺淀积绝缘材料以形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成振动体，于所述振动体上采用光刻、腐蚀掩膜和各向异性刻蚀工艺形成若干通孔；S6：在背极板以及振动体上形成金属压焊点；S7：在所述衬底上采用深硅刻蚀制作背腔，所述背腔自所述衬底的背面朝正面延伸并贯通所述衬底；以及，S8：采用缓冲氢氟酸溶液湿法腐蚀去除部分第一氧化层以露出背极板，去除振动体和背极板之间的部分第二氧化层，且未去除的第二氧化层形成用以支撑振动体的密封环，所形成的密封环和背极板、振动体围设形成腔体。