[发明专利]离子注入方法及离子注入装置

摘要

本发明提供了一种离子注入方法及离子注入装置，在半导体晶片的平面上，制作包括全宽度非离子注入区域和局部离子注入区域的两种平面内区域，所述两种平面内区域在与离子束的扫描方向正交的方向上交替布置一次或多次。在制作局部离子注入区域期间，在可以固定半导体晶片的状态下，进行或终止对半导体晶片的离子束照射的同时，反复进行使用离子束的往复扫描直至可以满足目标剂量。在制作全宽度非离子注入区域期间，可以在不进行对半导体晶片的离子束照射的情况下移动半导体晶片。然后，通过反复进行多次对所述半导体晶片的固定和移动，在半导体晶片的期望的区域制作离子注入区域及非离子注入区域。

主权项

一种使用离子注入装置的离子注入方法，在所述离子注入装置中，将离子源中产生的离子作为离子束传送至晶片，在传送中途在单轴方向的扫描方向上使用离子束进行往复扫描，可以将扫描的离子束偏转，以便将其引导向相同方向，并且可以使所述晶片朝与所述离子束的扫描方向正交的方向移动，其中在晶片平面上设定在与所述离子束的所述扫描方向正交的所述方向上至少交替布置一次或多次的两种平面内区域，其中将所述两种平面内区域中的一种平面内区域设定为在所设定的平面内区域的整个宽度上未注入离子的全宽度非离子注入区域，并且将所述两种平面内区域中的另外一种平面内区域设定为局部离子注入区域，在所述局部离子注入区域中，注入离子的离子注入区域和未注入离子的区域在所述离子束的扫描方向上交替地反复，并且其中，在所述两种平面内区域的每一种中，通过在不同条件下进行离子注入工艺，从而仅在所述晶片平面内的预定区域内注入离子而在除所述预定区域以外的区域内不注入离子。