[发明专利]晶圆未断检测分区判断方法有效
申请号: | 201310018710.2 | 申请日: | 2013-01-17 |
公开(公告)号: | CN103943522A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 陈孟端 | 申请(专利权)人: | 正恩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/84 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李静 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种晶圆未断检测分区判断方法,用于判断晶圆进行劈裂后晶圆是否断开,其包含步骤:取得劈裂前晶圆图像、建立多个判断区块、决定判断方式、劈裂、取得劈裂后晶圆图像与判断晶圆是否断开等;据此,本发明通过分区判断的方式,可以缩小判断面积,减少光学图像辨析的困难度,以加快光学判定结果的产生速度,且本发明依据晶圆的特性,可以选择判断区块的位置与数量,其可增加劈裂前后,判断区块的光学图像差异性,而使判断更为准确,另外还可依据晶圆特性,决定判断方式,以通过多个判断区块的光学判定结果,综合判断晶圆是否断开,进一步增加准确度,因而可以避免晶圆检查时发现未断而需要重新对位重劈的困扰。 | ||
搜索关键词: | 晶圆未断 检测 分区 判断 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆未断检测分区判断方法,用于判断一晶圆进行劈裂后所述晶圆是否断开,所述分区判断方法通过一图像采集器于所述晶圆劈裂前后各采集一劈裂前晶圆图像与一劈裂后晶圆图像,并通过一图像处理单元比对所述劈裂前晶圆图像与所述劈裂后晶圆图像的差异,以产生一光学判定结果从而得知所述晶圆是否断开,其特征在于,所述分区判断方法包含:步骤S1:取得所述劈裂前晶圆图像,其中,通过所述图像采集器采集所述劈裂前晶圆图像;步骤S2:建立多个判断区块,其中,通过所述图像处理单元在所述图像采集器的采集区域内,使使用者依据所述晶圆的特性,建立两个以上的所述判断区块,并分别作为所述图像处理单元产生所述光学判定结果的比对区域;步骤S3:决定判断方式,其中,使所述图像处理单元依据所述晶圆的特性与所述判断区块的数量选择一判定条件,所述判定条件为当所述判断区块的光学判定结果为断开的数量超过一指定值时,则判定所述晶圆断开,反之判定所述晶圆未断开,且所述指定值为小于或等于所述判断区块的数量的正整数;步骤S4:劈裂,其中,对所述晶圆进行劈裂动作;步骤S5:取得所述劈裂后晶圆图像,其中,通过所述图像采集器采集所述劈裂后晶圆图像;步骤S6:判断所述晶圆是否断开,其中,使所述图像处理单元依据所述劈裂前晶圆图像与所述劈裂后晶圆图像产生所述判断区块的光学判定结果,并依据所述判定条件与所述判断区块的所述光学判定结果来判定所述晶圆是否断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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