[发明专利]一种碳/硅核壳结构-聚合物高介电复合材料无效
| 申请号： | 201310018127.1 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103013004A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 薛庆忠;雷拓;韩治德;褚良永;孙晋;张忠阳;夏富军 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/10;C08K3/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266580 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种介电性能优异的碳/硅核壳结构-聚合物复合材料的制备方法。我们通过一定的方法将碳填入硅分子筛中，得到碳/硅核壳结构材料，再将其分散在聚合物中制备了介电性能优异的复合材料。该复合材料的介电常数可达到2030，此时介电损耗为2.02。该方法工艺简单，成本低廉，无污染，是一种有前景的制作聚合物基介电复合材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅核壳 结构 聚合物 高介电 复合材料 | ||
【主权项】：
一种含碳/硅核壳结构填料的聚合物基高介电复合材料，其特征是：所述复合材料由碳/硅核壳结构材料和聚合物复合而成。
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