[发明专利]一种碳/硅核壳结构-聚合物高介电复合材料无效
| 申请号： | 201310018127.1 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103013004A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 薛庆忠;雷拓;韩治德;褚良永;孙晋;张忠阳;夏富军 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/10;C08K3/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266580 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅核壳 结构 聚合物 高介电 复合材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种含碳/硅核壳结构填料的聚合物基高介电复合材料，其特征是：所述复合材料由碳/硅核壳结构材料和聚合物复合而成。
2.提供了一种含核壳结构填料的聚合物基高介电复合材料的制备方法。其步骤是：
取一定量的碳/硅核壳结构材料，加入到20毫升乙醇溶剂中，超声分散3小时，掺入一定质量的高聚物粉末继续超声分散2小时，将得到的悬浊液80℃干燥、研磨后，得到细微的粉末，使用粉末压片机将其压为薄片。然后将薄片置于200℃下保温3小时，得到碳/硅核壳结构材料填充的聚合物基复合材料。
3.权利要求1和2所述的核壳结构材料包括所有以碳材料为核的核壳结构材料。聚合物材料是包括PVDF在内的所有介电聚合物材料。
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