[发明专利]基于聚合物/电解质结中的电导率转换的存储设备有效
| 申请号： | 201310017870.5 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103219353B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | R·L·迈克科瑞里;L·C·T·舒特;吴贻良 | 申请（专利权）人： | 施乐公司;加拿大国家研究委员会 |
| 主分类号： | H01L27/28 | 分类号： | H01L27/28;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 李丙林,曹桓 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储设备，包含提供于基底上的至少第一电极和第二电极，第一和第二电极彼此分离；电连接第一和第二电极的有机半导体聚合物；与有机半导体聚合物接触的电解质；以及不与第一电极、第二电极和有机半导体聚合物接触的第三电极；其中有机半导体聚合物具有第一氧化还原态——在其中显示出第一电导率，以及第二氧化还原态——在其中其显示出第二电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 聚合物 电解质 中的 电导率 转换 存储 设备 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储设备，其包含：提供于基底上的至少第一电极和第二电极，第一和第二电极彼此分离；电连接第一和第二电极的有机半导体聚合物；与有机半导体聚合物接触的电解质；以及不与第一电极、第二电极以及有机半导体聚合物接触的第三电极；其中有机半导体聚合物具有第一氧化还原态——其中其显示第一电导率，以及第二氧化还原态——其中其显示第二电导率；其中第二电导率在室温下小于0.1S/cm，并且其中第一电导率至少为第二电导率的10倍以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
