[发明专利]基于聚合物/电解质结中的电导率转换的存储设备

权利要求书

1.一种非易失性存储设备，其包含：

提供于基底上的至少第一电极和第二电极，第一和第二电极彼此分离；

电连接第一和第二电极的有机半导体聚合物；

与有机半导体聚合物接触的电解质；以及

不与第一电极、第二电极以及有机半导体聚合物接触的第三电极；

其中

有机半导体聚合物具有第一氧化还原态——其中其显示第一电导率，以及第二氧化还原态——其中其显示第二电导率。

2.权利要求1的非易失性存储设备，其中基底是柔性的。

3.权利要求1的非易失性存储设备，其中第二电导率在室温下小于约0.1S/cm，并且其中第一电导率至少为第二电导率的10倍以上。

4.权利要求1的非易失性存储设备，其中第一电导率与第二电导率之比在约10至约10¹⁰的范围内。

5.权利要求1的非易失性存储设备，其中电解质包含移动离子。

6.权利要求1的非易失性存储设备，其中第一和第二电极彼此基本平行地形成。

7.权利要求1的非易失性存储设备，其中所述电解质层是固体电解质。

8.权利要求1的非易失性存储设备，其中有机半导体聚合物选自聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺以及聚芴。

9.权利要求1的非易失性存储设备，其中设备还包含互补性氧化还原剂。

10.权利要求1的非易失性存储设备，其中有机半导体聚合物的第一氧化还原态经氧化/还原反应转换到有机半导体聚合物的第二氧化还原态。