[发明专利]制造太阳能电池射极方法及太阳能电池无效
| 申请号： | 201310016215.8 | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103208559A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 安德烈·罗尔;安德烈·温特里希 | 申请（专利权）人： | 德意志电池有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 栗若木;曲鹏 |
| 地址： | 德国费莱博*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明有关于用于制造太阳能电池(201)的射极(203)的方法，包括下列步骤：将第一掺质(402)通过太阳能电池基板(401)的表面而导入(101)太阳能电池基板(401)中，在该太阳能电池基板(401)的该表面上形成(103)第二掺质(701)无法通过的扩散阻障层(603)，以及将该第二掺质(701)设置(105)于该扩散阻障层(603)上。本发明还进一步有关于太阳能电池(201)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
一种制造一太阳能电池的一射极的方法，包括下列步骤：将第一掺质通过太阳能电池基板的表面而导入所述太阳能电池基板中；所述太阳能电池基板的所述表面上形成第二掺质无法通过的扩散阻障层；以及将所述第二掺质设置于所述扩散阻障层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
