[发明专利]制造太阳能电池射极方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种制造一太阳能电池的一射极的方法，包括下列步骤：

将第一掺质通过太阳能电池基板的表面而导入所述太阳能电池基板中；

所述太阳能电池基板的所述表面上形成第二掺质无法通过的扩散阻障层；以及

将所述第二掺质设置于所述扩散阻障层上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中孔隙在所述扩散阻障层中形成，用于将所述第二掺质通过所述孔隙而导入所述太阳能电池基板中。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中形成所述扩散阻障层包括在所述太阳能电池基板上形成氧化层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中导入所述第一掺质包括利用氧而驱动所述第一掺质进入所述太阳能电池基板。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在驱动进入程序期间，氧的量以每分钟标准立方公分为单位而增加。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述太阳能电池基板具有p掺杂，以及所述第一掺质以及所述第二掺质为n掺质。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述太阳能电池基板具有n掺杂，以及所述第一掺质以及所述第二掺质为p掺质。

8.根据权利要求6有关其指回权利要求4的范围所述的方法，其中，磷硅酸盐玻璃被沉积在所述太阳能电池基板的所述表面上，以导入磷作为所述第一掺质。

9.根据权利要求1至6以及8中任一项有关其指回权利要求6的所述的方法，其中，磷硅酸盐玻璃沉积在所述扩散阻障层上，以设置磷作为所述第二掺质。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中所述已沉积的磷硅酸盐玻璃和/或所述扩散阻障层的层厚度介于10nm至50nm之间。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，其中所述磷硅酸盐玻璃是利用氧氯化磷以及氧而进行沉积。

12.根据权利要求11所述的方法，其中氧氯化磷的量介于500sccm至1500sccm之间。

13.根据前述权利要求中任一项有关其指回权利要求4的范围所述的方法，其中，氧的量介于150sccm至5000sccm之间。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在导入所述第一掺质、形成所述扩散阻障层以及设置所述第二掺质的步骤中至少其中之一，设定的温度介于780℃至860℃之间。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中导入所述第一掺质、形成所述扩散阻障层以及设置所述第二掺质的步骤中其中之一的持续时间介于5分钟至20分钟之间。

16.一种利用前述权利要求中任一项所述的方法而制造的包含射极的太阳能电池。