[发明专利]制造太阳能电池射极方法及太阳能电池

说明书

技术领域

本发明有关于用于制造太阳能电池的射极的方法及太阳能电池。

背景技术

当利用激光加工制作选择性射极时，可达成的接触电阻取决于磷硅酸盐玻璃品质的问题常常发生。在标准扩散程序中，掺杂源(例如，磷硅酸盐玻璃)会在晶圆上沉积一段预设的时间，并接着被驱动进入晶圆中。在此程序中会发生的一个问题是，在磷硅酸盐玻璃中的磷浓度是由会影响扩散分布的沉积参数所决定(尤其是表面浓度)的。这样，特别地会导致在用于激光加工的层中留下太少的磷，其使它无法达成具有足够品质的接触电阻。

公开案DE 10 2008 056 456 A1揭示了一种以二阶段沈积而用于制造太阳能电池的方法。

公开案DE 10 2008 055 515 A1揭示了一种用于形成掺杂材料的量变曲线的方法。

发明内容

本发明的目的可为提供一种用于制造太阳能电池的射极的方法，其中，可配置具有足够品质的接触电阻。

本发明的目的亦在于提供一种相对应的太阳能电池，其包括具有足够品质的接触电阻。

这些目的是利用独立权利要求的各自的标的而解决。较佳实施例则在从属权利要求中指明。

根据本发明的一个方面，提供一种用于制造太阳能电池的射极的方法。在第一步骤中，第一掺质，特别是，第一掺杂手段，或分别地，将包括该第一掺质的第一掺杂材料经由太阳能电池基板的表面导入该太阳能电池基板中。再者，在该太阳能电池基板的该表面上形成扩散阻障层，该扩散阻障层为第二掺杂手段无法通过的，或分别地，第二掺质材料包括第二掺质。然后该第二掺质被设置于该扩散阻障层上。

根据一另一方面，提供包括射极的太阳能电池，该射极是利用用于制造太阳能电池的射极的方法所制成。

因此，本发明的特殊想法在于经由太阳能电池基板的表面而将第一掺质导入该太阳能电池基板中。此特别是指太阳能电池基板受到了掺杂。因此，在优选的方式中，被设置在该太阳能电池基板的表面下方的层混有该第一掺质已被导入的层。此掺杂层特别地形成了该太阳能电池的射极。

扩散阻障层以扩散阻障层为第二掺质无法通过的这样方式而在受到掺杂的该太阳能电池基板上形成。此特别地表示，该第二掺质无法扩散通过该扩散阻障层。

因此，由于该扩散阻障层对该第二掺质是无法通过的事实，因此第二掺质明确定义的量可优选地被设置于该扩散阻障层上，在形成该扩散阻障层后用于其他加工步骤，而不会出现例如被设置在该扩散阻障层上的第二掺质部分的量在程序中不慎扩散进入该太阳能电池基板，此则通常会导致其无法在接下来的加工步骤中被使用的事实。

另一加工阶段特别可包括形成用于接触该已掺杂半导体基板(特别是用于接触该射极)的接点。在此上下文中，由于第二掺质明确定义的量，因此可达到明确定义的接触电阻。再者，此可优选为电性接触提供足够量的第二掺质。

根据一个实施例，孔隙(特别地是多个孔隙)可在该扩散阻障层中形成，用于经由孔隙而将该第二掺质导入该太阳能电池基板中。此特别地表示，其有可能以此通过在该扩散阻障层中的孔隙而将该第二掺质导入该太阳能电池基板的方式，而优选地允许利用第二掺质而掺杂该太阳能电池基板。在太阳能电池基板被设置在该扩散阻障层的孔隙下方的区域中，优选地利用第一掺质以及利用该第二掺质而在此区域范围中造成特别高的掺质浓度。结果，在此区域中可具优势地形成特别良好的接触电阻，以电性接触经掺杂的太阳能电池基板，在此上下文中特别是射极。

仅利用该第一掺质掺杂的区域因此包括比较低的掺杂浓度，在这些区域仅利用该第一掺质来掺杂。优选地减少了电荷载体(在此上下文中特别是电子以及电洞)间再结合的可能性，其明显地增加该太阳能电池的量子效率。

根据一个实施例，该扩散阻障层可利用激光而被打开。较佳地是，该第二掺质利用该激光而被导入该太阳能电池基板中。利用激光来打开该扩散阻障层，或分别地，利用激光来导入该第二掺质表示，该扩散阻障层(或分别地该第二掺质)受到激光脉冲、和/或一连续激光光束的充电。

根据另一实施例，形成该扩散阻障层包括在该太阳能电池基板的表面上形成氧化层。此特别地表示，氧化层在该太阳能电池基板的表面上形成为扩散阻障层。其较佳地被提供为，该表面被氧化，使得该太阳能电池基板的已氧化表面形成该扩散阻障层。氧化该太阳能电池基板的表面较佳地可利用充氧(oxygen-charging)该表面(特别是利用气态氧)而完成。