[发明专利]一种场终止型IGBT 器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310012920.0 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103928318A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张朝阳 | 申请（专利权）人： | 上海宝芯源功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场终止型IGBT器件的制造方法，包括：1）提供一N-型半导体衬底，基于所述N-型半导体衬底进行IGBT制备的正面工艺，包括：制作栅极结构、P阱、N+型源区、具有接触孔的介质层、以及用于连接所述P阱及N+型源区的P+型接触区；2）从背面减薄所述N-型半导体衬底，并通过外延工艺于该背面形成N+型场终止区；3）采用离子注入及退火工艺于所述N+型场终止区中形成P+型集电区；4）分别于正面及背面沉积金属，并进行退火形成IGBT的发射极及集电极。本发明通过将背面场终止层用注入方式转变为外延方式，同时对工艺步骤进行了调整，这样通过外延的方式一方面可以直接通过工艺调整厚度，另一方面也提高了场终止层电阻率的可调整性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 终止 igbt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场终止型IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1）提供一N‑型半导体衬底，基于所述N‑型半导体衬底进行IGBT制备的正面工艺，包括：制作栅极结构、P阱、N+型源区、具有接触孔的介质层、以及用于连接所述P阱及N+型源区的P+型接触区；2）从背面减薄所述N‑型半导体衬底，并通过外延工艺于该背面形成N+型场终止区；3）采用离子注入及退火工艺于所述N+型场终止区中形成P+型集电区；4）分别于正面及背面沉积金属，并进行退火形成IGBT的发射极及集电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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