[发明专利]对基板表面做预先处理以进行金属沉积的工艺和集成系统有效
申请号: | 201310011701.0 | 申请日: | 2007-08-17 |
公开(公告)号: | CN103107120A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 耶兹迪·多尔迪;弗里茨·C·雷德克;约翰·博伊德;威廉·蒂;蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜;阿瑟·M·霍瓦尔德;衡石·亚历山大·尹;约翰·韦尔托门 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/768;C23C14/14;C23C16/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供对基板表面做预先处理以进行金属沉积的工艺和集成系统,以提升铜布线的电迁移性能,提供较低的金属电阻率,并提升金属-金属间或硅-金属间的粘着性。提供一种在集成系统中,对基板表面进行预先处理,以在铜表面选择性地沉积钴合金薄层从而提升铜布线的电子迁移性的方法。该方法包括:在集成系统中去除基板表面的有机污染物和金属氧化物,并在去除污染物和金属氧化物之后,在集成系统中修复该基板表面。该方法还包括在修复基板表面之后,在集成系统中,在铜布线的铜表面选择性地沉积钴合金材料薄层。还提供一种实现上述方法的系统。 | ||
搜索关键词: | 表面 预先 处理 进行 金属 沉积 工艺 集成 系统 | ||
【主权项】:
一种在集成系统中,对基板表面做预先处理,以沉积金属阻障层来填充基板上的铜布线结构,并在该金属阻障层上沉积铜种晶薄层,从而提升该铜布线的电子迁移性的方法,其特征在于,该方法包含:在该集成系统中,清洁底层金属的暴露表面以去除表面金属氧化物,其中该底层金属是电性连接于该铜布线的底层布线的一部分;在该集成系统中,沉积该金属阻障层以填充该铜布线结构,其中在沉积完该金属阻障层之后,在可控环境中传送和处理该基板以避免金属阻障氧化物的形成;在该集成系统中,沉积该铜种晶薄层;及在该集成系统中,在该铜种晶薄层上沉积铜填充层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310011701.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种信息发布方法、装置及系统
- 下一篇:一种感应话筒电路和实现感应话筒的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造