[发明专利]一种激光掺杂选择性发射结的扩散工艺

摘要

本发明公开了一种激光掺杂选择性发射结电池的扩散方法，本通过改变发射结电池的扩散方法，在对硅片进行有缘扩散、无源推进的基础上再一次向扩散炉中通入携带POCl3的氮气进行沉积处理，有效降低发射结表面的复合又可以在掺杂区域形成良好欧姆接触的扩散工艺。

主权项

一种激光掺杂选择性发射结的扩散工艺，其特征在于包括以下步骤：选择要处理的硅片，将硅片表面进行清洗并作织构化处理；将扩散炉升温至750‑800℃，将所述的硅片放于石英舟上推入扩散炉内；在扩散炉内对硅片表面进行氧化预处理，氧化预处理时间为10~40min；向扩散炉通入携带POCl3的氮气进行磷源的沉积，沉积时间为10~40min；扩散炉内停止携带POCl3的氮气的通入，并将扩散炉内的温度升至800~900℃，对硅片作无源推进处理；向扩散炉内再次通入携带POCl3的氮气进行磷源的沉积，沉积时间为5~20min；扩散炉内停止携带POCl3的氮气的通入，对所述的硅片进行氮气吹扫；扩散结束，将石英舟推出扩散炉，取出设于石英舟上的硅片。