[发明专利]硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法有效
| 申请号： | 201310003746.3 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103915359A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘苏南;蔡妮妮;赖华平;廖炳隆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法，包括步骤：提供需要分析的硅基芯片样品并制作分析截面。对分析截面用晶体缺陷腐蚀液进行腐蚀处理。对分析截面进行SEM分析。本发明能提高硅基片上的位错缺陷的可观察范围，能提高位错缺陷的分析速度、以及提高位错监控分析的效率，能降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 缺陷 快速 统计 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供需要分析的硅基芯片样品，制作出该硅基芯片样品的需要分析的分析截面，该分析截面的晶面指数属于{110}晶面族；步骤二、对所述硅基芯片样品的所述分析截面用晶体缺陷腐蚀液进行腐蚀处理；步骤三、对腐蚀处理后的所述分析截面进行SEM分析。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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