[发明专利]一种低成本n型双面太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201310001832.0 | 申请日: | 2013-01-05 |
公开(公告)号: | CN103077975A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 汪保卫;沈辉 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 510006 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种低成本n型双面太阳电池,所述太阳电池前表面为硼扩散形成的硼发射极,硼发射极上面沉积有钝化层和减反射层,太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场,其余为非掺杂区域,非掺杂区域上面沉积有钝化层,前表面制备有金属前电极,背表面制备有金属背电极。本发明还公开了该低成本n型双面太阳电池的制备方法。与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明利用激光掺杂含磷薄膜或涂敷的磷源,形成局部n+掺杂区域,同时保持钝化效果,无需二次高温磷扩散和其它掩膜过程,就可同时形成前表面场和背表面场,简化双面n型太阳电池的制备工艺和降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 低成本 双面 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低成本n型双面太阳电池,其特征在于,所述太阳电池前表面为硼扩散形成的硼发射极,硼发射极上面沉积有钝化层和减反射层,太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场,其余为非掺杂区域,非掺杂区域上面沉积有钝化层,前表面制备有金属前电极,背表面制备有金属背电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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