[发明专利]一种低成本n型双面太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种低成本n型双面太阳电池，其特征在于，所述太阳电池前表面为硼扩散形成的硼发射极，硼发射极上面沉积有钝化层和减反射层，太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场，其余为非掺杂区域，非掺杂区域上面沉积有钝化层，前表面制备有金属前电极，背表面制备有金属背电极。

2.一种权利要求1所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）硅片表面制绒；

（2）前表面硼扩散形成硼发射极；

（3）去除背表面的扩散绕射层和硼硅玻璃层；

（4）前表面硼发射极沉积钝化层和减反射层；

（5）背表面沉积掺磷的钝化层，或先沉积钝化层然后喷涂磷源；

（6）背表面激光局部磷掺杂，形成局部n⁺层；

（7）双面制备金属电极。

3.根据权利要求2所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，采用碱性溶液腐蚀硅片在硅片表面形成绒面。

4.根据权利要求2所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，硼扩散方阻为40~200 Ω/sq；扩散方式为BBr₃源管式扩散，或离子注入法，或喷涂硼源在线式扩散。

5.根据权利要求2所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，采用化学腐蚀溶液去除背面的扩散绕射层和硼硅玻璃层。

6.根据权利要求2所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，前表面硼发射极的钝化层为AlOx薄膜或SiOx薄膜，薄膜厚度为2nm~50nm，采用PECVD、ALD或PVD方式生长；覆盖钝化层的减反射层为SiN薄膜，厚度为30nm~100nm，采用PECVD或PVD方式生长。

7.根据权利要求2所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）中，背表面沉积含磷的SiN(p)薄膜，SiN(p)薄膜厚度为30nm~200nm，磷掺杂量为1E19cm^-3~5E22cm^-3；或沉积含磷的SiOx(p)/SiN叠层膜，SiOx(p)薄膜厚度为10nm~100nm，磷掺杂量为1E19cm^-3~5E22cm^-3，SiN薄膜厚度为30nm~150nm；或采用沉积SiN薄膜然后喷涂磷源方式，SiN薄膜厚度为30nm~200nm，磷源浓度为0.1% ~70%。

8.根据权利要求2所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（6）中，采用激光进行局部磷掺杂，形状为点阵列或线排布。

9.根据权利要求8所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，对于点阵列，点直径为15μm~600μm，点之间的距离为300μm~2500μm；对于线排布，线宽度为15μm~800μm，线间距为500μm~3000μm。

10.根据权利要求2所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（7）中，制备金属电极采用常规的丝网印刷方式或采用电镀方式或采用溅射金属化方式。