[发明专利]焊料凸块及其形成方法、以及具备有焊料凸块的基板及其制造方法有效
申请号: | 201280072463.8 | 申请日: | 2012-04-17 |
公开(公告)号: | CN104246996B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 谷黑克守 | 申请(专利权)人: | 株式会社谷黑组 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够在具有微细的铜电极的印刷基板等安装基板上形成具有所期望的一定厚度的焊料凸块而不产生铜溶蚀等不良情况的焊料凸块的形成方法。为了解决上述课题,本发明的焊料凸块的形成方法具有在将所准备的基板(1)和所准备的掩模(5)叠合后,喷射熔融焊料的喷流,在掩模(5)的开口部堆积熔融焊料(11a)直至其厚度比所述掩模的厚度更厚的工序;将超出掩模(5)的厚度的熔融焊料(11a)除去而形成给定厚度的焊料凸块(11)的工序;以及取下掩模(5)的工序,其中,熔融焊料(11a)是熔融无铅焊料,该熔融无铅焊料以锡为主成分,并至少包含镍作为副成分,还任选含有银、铜、锗等,将超出掩模(5)的厚度的熔融焊料(11a)的除去如下进行利用刮板或气刀来进行,或者利用喷雾含有碳原子数12~20的有机脂肪酸的溶液(18)来进行。 | ||
搜索关键词: | 焊料 及其 形成 方法 以及 备有 制造 | ||
【主权项】:
一种焊料凸块的形成方法,该方法具有:准备形成有铜电极的基板的工序;准备形成有开口部的掩模的工序,所述开口部用于在所述铜电极上的必要位置形成焊料凸块;将所述基板和所述掩模叠合后,从所述掩模的表面侧喷射熔融焊料的喷流,在所述掩模的开口部堆积熔融焊料直至其厚度比所述掩模的厚度更厚的工序,所述熔融焊料为150℃以上且300℃以下且进行了精制处理;将超出所述掩模的厚度的熔融焊料除去而形成给定厚度的焊料凸块的工序;以及取下所述掩模的工序,其中,在所述精制处理中,对所述熔融焊料进行搅拌混合使其与含有5质量%以上且25质量%以下的有机脂肪酸的溶液接触,所述有机脂肪酸的碳原子数为12~20,且该有机脂肪酸的溶液被加热至180℃以上且350℃以下,所述熔融焊料是熔融无铅焊料,该熔融无铅焊料以锡为主成分,并至少包含镍作为副成分,还包含选自银、铜、锌、铋、锑及锗中的1种或2种以上作为任选的副成分,超出所述掩模厚度的熔融焊料的除去如下进行:利用刮板或气刀来进行,或者利用喷雾含有碳原子数12~20的有机脂肪酸的溶液的除去装置来进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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