[发明专利]Co-Cr-Pt 系溅射靶及其制造方法有效
申请号: | 201280067523.7 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN104081458A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 佐藤敦;池田祐希;荒川笃俊;高见英生;中村祐一郎 | 申请(专利权)人: | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | G11B5/851 | 分类号: | G11B5/851;B22F1/00;B22F9/04;C22C1/05;C22C19/07;C22C32/00;C23C14/34 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种溅射靶,含有0.5摩尔%~45摩尔%Cr、余量为Co作为金属成分,并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分,其特征在于,其组织包含在Co中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域(非Cr系区域)和在Cr或Co-Cr中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域(Cr系区域),所述非Cr系区域散布在所述Cr系区域中。本发明的课题是提供抑制粗大的复合氧化物颗粒的形成、溅射时粉粒产生少的颗粒膜形成用溅射靶。 | ||
搜索关键词: | co cr pt 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种溅射靶,含有0.5摩尔%~45摩尔%Cr、余量为Co作为金属成分,并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分,其特征在于,其组织包含在Co中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域(非Cr系区域)和在Cr或Co‑Cr中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域(Cr系区域),所述非Cr系区域散布在所述Cr系区域中。
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