[发明专利]存储器单元及形成存储器单元的方法

摘要

一些实施例包含存储器单元，所述存储器单元按顺序含有；第一电极材料：第一金属氧化物材料、第二金属氧化物材料及第二电极材料。所述第一金属氧化物材料具有在氧浓度方面相对于彼此不同的至少两个区域。所述区域中的一者为第一区域且另一者为第二区域。所述第一区域比所述第二区域更接近所述第一电极材料且具有大于所述第二区域的氧浓度。所述第二金属氧化物材料包含不同于所述第一金属氧化物材料的金属。一些实施例包含形成存储器单元的方法，其中实质上不可逆地将氧从金属氧化物材料的区域转移到吸氧材料。所述氧转移产生所述金属氧化物材料的一个区域内的氧浓度相对于另一区域的差异。

主权项

一种存储器单元，其包括：第一电极材料；第一金属氧化物材料，其在所述第一电极材料之上；所述第一金属氧化物材料具有在氧浓度方面相对于彼此不同的至少两个区域；所述区域中的一者为第一区域且另一者为第二区域；所述第一区域比所述第二区域更接近所述第一电极材料，且具有大于所述第二区域的氧浓度；第二金属氧化物材料，其在所述第一金属氧化物材料之上且直接触及所述第一金属氧化物材料；所述第二金属氧化物材料包括不同于所述第一金属氧化物材料的金属；及第二电极材料，其在所述第二金属氧化物材料之上。