[发明专利]带有具有高磁饱和以及各向异性场特征的薄稳定层的记录介质有效
| 申请号： | 201280067388.6 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104054128A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | B·卞;W·沈;P·李;M·鲁;C·C·刘;T·诺兰 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/62 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有增强的磁稳定性的垂直记录介质(102、200、300)。根据一些实施例，多层记录结构(204,304,306,308)形成在底部衬底(202,302)上并适于在基本垂直于所述层的畴内磁性地存储磁位序列。薄的磁稳定层(206,310)被形成在多层记录衬底上以使记录结构的上部磁稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 具有 饱和 以及 各向异性 特征 稳定 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种垂直数据记录介质，包括：多层记录结构，其形成在底部衬底上并适于在基本垂直于所述层的畴内磁性地存储磁位序列；以及薄的磁稳定层，被形成在多层记录衬底上以使记录结构的上部磁稳定。
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