[发明专利]离子注入设备和注入离子的方法无效

专利信息
申请号: 201280067098.1 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN104054155A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: T.斯米克;G.赖丁;H.格拉维施;T.萨卡斯;W.帕克;P.艾德;D.阿诺德;R.霍纳;J.吉莱斯皮 申请(专利权)人: GTAT公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01L21/265;H01L31/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 吴艳
地址: 美国新罕*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种使用鼓式扫瞄轮的离子注入设备以小于60°的总锥角保持晶片。例如H+的离子的准直扫描射束沿着与扫描轮的旋转轴至少为45°角度的最后射束路径定向。离子选自一源并且在扫描或质量分析之前沿着直线加速路径加速到高注入能量(超过500千电子伏)。质量分析器可位于旋转轴附近且不想要的离子被定向到可安装在扫描轮上的环形射束收集器。
搜索关键词: 离子 注入 设备 方法
【主权项】:
一种离子注入设备,包括∶具有旋转轴和圆周的旋转扫瞄组件;分布在所述圆周周围的多个衬底保持器,所述衬底保持器被布置成以共同的衬底倾角保持相应的平面衬底以限定围绕所述旋转轴的小于60的总锥角;以及射束线路组件,该射束线路组件提供一束离子用于注入在所述衬底保持器上的所述平面衬底中,所述射束线路组件在离子束方向上顺序包括:离子源;离子加速器,该离子加速器对加速来自于所述离子源的离子以产生具有所希望的至少500千电子伏的注入能量的加速射束是有效的;以及具有接收所述加速射束的射束进口的射束弯曲磁体;其中所述离子源,所述加速器和所述射束进口限定从所述离子源到所述射束弯曲磁体的所述射束进口是线性的射束加速路径;其中所述射束线路组件被布置成将所述射束定向在沿着最后射束路径的预定离子注入方向上,所述最后射束路径与所述旋转轴的角度为至少45度;以及其中所述衬底保持器上的所述平面衬底随着所述旋转扫描组件旋转与所述最后射束路径在运行方向上连续地相交。
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