[发明专利]具有与容纳区处于热平衡的沟道区的忆阻器有效
| 申请号： | 201280065140.6 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN104011863A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 苗峰;杨建华;约翰·保罗·斯特罗恩;易伟;吉尔贝托·梅代罗斯·里贝罗;R·斯坦利·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有与容纳区处于热平衡的沟道区的忆阻器。该沟道区具有可变浓度的移动离子。由化学计量晶体材料制成的容纳区容纳沟道区且与沟道区处于热平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 容纳 处于 平衡 沟道 忆阻器 | ||
【主权项】：
一种具有与容纳区处于热平衡的沟道区的忆阻器，所述忆阻器包括：沟道区，具有可变浓度的移动离子；以及具有化学计量晶体材料的容纳区，容纳所述沟道区且与所述沟道区处于热平衡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
