[发明专利]晶片蚀刻装置和使用该装置的晶片蚀刻方法

摘要

本发明公开了高速干法蚀刻Si晶片的晶片蚀刻装置以及使用所述晶片蚀刻装置的晶片蚀刻方法，其中同时安装电容耦合等离子体单元或感应耦合等离子体单元和远程等离子体单元，以便高速蚀刻晶片，从而显著降低蚀刻晶片的操作时间。此外，卡盘的上表面粗糙，以便具有不平坦的表面，使得在所述上表面和晶片之间形成微小空间，氦气经由该微小空间被供应作为冷却气体来冷却晶片，从而防止由沟槽产生的不需要的微小空间中产生等离子体并且防止不必要的等离子体对晶片造成损坏。

主权项

一种晶片蚀刻装置，包括：处理室，其具有设置于其中用以支撑晶片的卡盘；第一等离子体单元，其与所述处理室相连，并向所述处理室中喷射高压的第一蚀刻气体，以高速蚀刻具有大表面的所述晶片；以及第二等离子体单元，其与所述处理室相连，并向所述处理室中喷射低压的第二蚀刻气体，以去除所述晶片的应力从而形成铜柱，并蚀刻所述晶片的表面以形成所需要的粗糙度。