[发明专利]高压晶体管器件和制造方法

摘要

在衬底(1)的上侧(10)上将第一导电类型的体部区域(3)设置在凹部(2)中，其中凹部的没有由体部区域所占据的部分具有与第一传导类型相反的第二传导类型。在上侧上，将源极区域(4)设置在体部区域中并且将漏极区域(5)以距体部区域一定间距的方式设置在凹部中；源极区域和漏极区域这两者都具有第二传导类型。体部区域设置在上侧的表面区域之下，所述表面区域具有边缘(7)，所述边缘具有彼此相对置的第一边缘侧(8)。凹部在衬底中具有不同的深度。凹部的深度在体部区域的第一边缘侧之下小于在体部区域的与第一边缘侧间隔开的部分中。

主权项

一种高压晶体管器件，具有：‑具有上侧(10)的半导体衬底(1)，‑掺杂的凹部(2)，所述凹部在所述半导体衬底(1)中具有下边界面(20)，使得在所述上侧(10)和所述下边界面(20)之间存在间距(F，G)，‑体部区域(3)，所述体部区域设置在所述凹部(2)中并且在所述上侧(10)上具有边缘(7)，所述边缘具有彼此相对置的第一边缘侧(8)和彼此相对置的第二边缘侧(18)，其中所述体部区域(3)具有第一导电类型，并且其中所述凹部(2)的没有由所述体部区域(3)所占据的部分具有与第一传导类型相反的第二传导类型，‑源极区域(4)，所述源极区域在所述第二边缘侧(18)中的一个处设置在所述体部区域(3)中并且具有所述第二传导类型，和‑漏极区域(5)，所述漏极区域与所述源极区域(4)相对地以距所述体部区域(3)一定间距的方式在所述上侧(10)上设置在所述凹部(2)中并且具有所述第二传导类型，其特征在于，‑在所述上侧(10)和所述凹部(2)的所述下边界面(20)之间的间距(F，G)在所述体部区域(3)的所述第一边缘侧(8)处比在所述第二边缘侧(18)处小。