[发明专利]高压晶体管器件和制造方法

权利要求书

1.一种高压晶体管器件，具有：

-具有上侧(10)的半导体衬底(1)，

-掺杂的凹部(2)，所述凹部在所述半导体衬底(1)中具有下边界面(20)，使得在所述上侧(10)和所述下边界面(20)之间存在间距(F，G)，

-体部区域(3)，所述体部区域设置在所述凹部(2)中并且在所述上侧(10)上具有边缘(7)，所述边缘具有彼此相对置的第一边缘侧(8)和彼此相对置的第二边缘侧(18)，其中所述体部区域(3)具有第一导电类型，并且其中所述凹部(2)的没有由所述体部区域(3)所占据的部分具有与第一传导类型相反的第二传导类型，

-源极区域(4)，所述源极区域在所述第二边缘侧(18)中的一个处设置在所述体部区域(3)中并且具有所述第二传导类型，和

-漏极区域(5)，所述漏极区域与所述源极区域(4)相对地以距所述体部区域(3)一定间距的方式在所述上侧(10)上设置在所述凹部(2)中并且具有所述第二传导类型，

其特征在于，

-在所述上侧(10)和所述凹部(2)的所述下边界面(20)之间的间距(F，G)在所述体部区域(3)的所述第一边缘侧(8)处比在所述第二边缘侧(18)处小。

2.根据权利要求1所述的高压晶体管器件，其中将所述体部区域(3)的以距所述体部区域(3)的所述第一边缘侧(8)一定间距的方式存在于所述源极区域(4)和所述漏极区域(5)之间的部分设为通道区域(6)。

3.根据权利要求1或2所述的高压晶体管器件，其中所述凹部(2)在所述源极区域(4)和所述漏极区域(5)之间具有降低的掺杂材料浓度。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的高压晶体管器件，其中所述第一边缘侧(8)短于所述第二边缘侧(18)。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的高压晶体管器件，其中所述半导体衬底(1)邻近于所述凹部(2)具有所述第一传导类型。

6.一种用于高压晶体管器件的制造方法，其中

-在半导体衬底(1)的上侧(10)上，借助于注入掺杂材料将第一传导类型的体部区域(3)制造在相反的第二传导类型的凹部(2)中，使得所述凹部(2)包围所述体部区域(3)的具有相对置的第一边缘侧(8)的边缘(7)，

-在所述上侧(10)上，在所述体部区域(3)中形成所述第二传导类型的源极区域(4)，并且

-在所述上侧(10)上，以距所述体部区域(3)一定间距的方式在所述凹部(2)中形成所述第二传导类型的漏极区域(5)，

其特征在于，

-所述凹部(2)形成为，使得其在垂直于所述上侧(10)的方向上在所述第一边缘侧(8)的区域中与在所述体部区域(3)的与所述第一边缘侧(8)间隔开的部分中相比不那么深地进入到所述半导体衬底(1)中，并且对此

-使用注入掩膜(11)，所述注入掩模具有开口(12)，所述开口在所述第一边缘侧(8)的区域中缩小。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中将所述注入掩膜(11)的所述开口(12)在所述第一边缘侧(8)的区域中多次划分进而缩小。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中将所述开口(12)通过所述注入掩膜(11)的平行于所述第一边缘侧(8)并且横向于第二边缘侧(18)定向的条带(14)来划分。

9.根据权利要求6所述的制造方法，其中将所述注入掩膜(11)的所述开口(12)划分成设置在所述体部区域(3)之上的部分(15)和与其分离的设置在所述漏极区域(5)之上的部分(16)，并且所述设置在所述体部区域(3)之上的部分(15)在平行于所述体部区域(3)的所述第一边缘侧(8)伸展的方向上具有下述尺寸，所述尺寸在所述第一边缘侧(8)的区域中比在距所述第一边缘侧(8)一定间距时小。

10.根据权利要求6或9所述的制造方法，其中将所述注入掩膜(11)的所述开口(12)划分成设置在所述体部区域(3)之上的部分(15)和与其分离的设置在所述漏极区域(5)之上的部分(16)，并且所述设置在所述漏极区域(3)之上的部分(16)在平行于所述体部区域(3)的所述第一边缘侧(8)伸展的方向上具有下述尺寸(K，L)，所述尺寸在所述第一边缘侧(8)的直线延长上比在所述第一边缘侧(8)的直线延长之间的区域中小。