[发明专利]用于制造碳化硅半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201280056792.3 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103959471A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 漂移层(32)被形成在单晶衬底(20)上。漂移层(32)具有面向单晶衬底(20)的第一表面(S1)和与第一表面(S1)相反的第二表面(S2)，由碳化硅制成，具有第一导电类型。由碳化硅制成并具有第二导电类型的集电极层(30)形成在漂移层(32)的第二表面(S2)上。通过去除单晶衬底(20)，暴露漂移层(32)的第一表面(S1)。体区(33)和发射极区(34)被形成。体区(33)被布置在漂移层(32)的第一表面(S1)中，具有不同于第一导电类型的第二导电类型。发射极区(34)被布置在体区(33)上，通过体区(33)与漂移层(32)分离，具有第一导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 碳化硅 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造碳化硅半导体器件(90)的方法，包括以下步骤：在单晶衬底(20)上形成漂移层(32)，所述漂移层具有面向所述单晶衬底的第一表面(S1)和与所述第一表面相反的第二表面(S2)，所述漂移层由碳化硅制成并且具有第一导电类型；在所述漂移层的所述第二表面上形成集电极层(30)，所述集电极层由碳化硅制成并且具有第二导电类型；通过去除所述单晶衬底来暴露所述漂移层的所述第一表面；形成体区(33)和发射极区(34)，所述体区被布置在所述漂移层的所述第一表面中并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，所述发射极区被布置在所述体区上，通过所述体区与所述漂移层分离，并且具有所述第一导电类型；在所述体区上形成栅极绝缘膜(11)，使得所述漂移层和所述发射极区相互连接；在所述栅极绝缘膜上形成栅电极(9)；以及形成与所述发射极区和所述体区中的每一个接触的发射极电极(42)。
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