[发明专利]HIPIMS层有效
| 申请号： | 201280054937.6 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103918054B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | S.克拉斯尼策尔;M.莱希塔勒 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康贸易股份公司（特吕巴赫） |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 石克虎,林森 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在至少一个基材上通过喷雾由气相沉积PVD层体系的方法，其中该层体系包括至少一个第一层，其特征在于，至少在该方法的一个步骤中使用功率密度为至少250W/cm2的HIPIMS方法，其中使用至少5ms时间的脉冲长度，在此期间在基材上存在基材偏压。 | ||
| 搜索关键词： | hipims | ||
【主权项】：
在至少一个基材上通过喷雾由气相沉积PVD层体系的方法，其中该层体系包括借助HIPIMS方法沉积的至少一个第一HIPIMS层和一个第二HIPIMS层，所述方法能够运行至少两个分负极，以能够使用250W/cm2或更大的功率密度和具有5ms或更长的脉冲时间的脉冲长度用于沉积HIPIMS层，其特征在于，在该HIPIMS方法的一个步骤中沉积所述第一HIPIMS层或第二HIPIMS层，其中使用至少250W/cm2的功率密度，其中使用具有至少5ms时间的脉冲长度，在此期间在基材上存在基材偏压，并且为沉积另外的任选的第二或第一HIPIMS层使用具有更短脉冲时间的脉冲长度，以使产生的第一HIPIMS层的形态与第二HIPIMS层的形态不同，并且用较长脉冲时间沉积的HIPIMS层的形态比用较短的脉冲时间沉积的HIPIMS层的形态粗糙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧瑞康贸易股份公司（特吕巴赫），未经欧瑞康贸易股份公司（特吕巴赫）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280054937.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
