[发明专利]制备基于硫属化物的光伏电池的方法有效
申请号: | 201280053040.1 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN103907204A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 梅利莎·A·穆什拉什;托德·R·布里登;凯文·P·卡帕尔多;斯科特·A·斯普拉格 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明是一种在制备光伏电池过程中在基于铜硫属化物的吸收体上形成基于硫化镉缓冲体的方法。以两个步骤溅射该缓冲体,第一步骤在低速率或相对高压下,且第二步骤在高速率或相对低压下。所得的电池具有良好的效率,并且根据一个实施方案,特征在于在吸收体和缓冲体层之间的狭窄界面。根据第二实施方案,缓冲体的特征还在于相对高的氧含量。 | ||
搜索关键词: | 制备 基于 硫属化物 电池 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,所述方法包括:在基板上形成基于硫属化物的吸收体层,通过以小于10nm/min的速率溅射,或通过以8至12Pa的工作压力溅射,在所述吸收体上形成包含镉和硫的缓冲体层的第一部分,以产生1至20nm的所述第一部分的厚度,以及通过以至少20nm/min的速率或不大于1Pa的工作压力溅射,形成包含镉和硫的所述缓冲体层的第二部分,其中,所述第二部分的厚度为至少15nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的