[发明专利]制备基于硫属化物的光伏电池的方法有效
| 申请号： | 201280053040.1 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103907204A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 梅利莎·A·穆什拉什;托德·R·布里登;凯文·P·卡帕尔多;斯科特·A·斯普拉格 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 基于 硫属化物 电池 方法 | ||
1.一种方法，所述方法包括：
在基板上形成基于硫属化物的吸收体层，
通过以小于10nm/min的速率溅射，或通过以8至12Pa的工作压力溅射，在所述吸收体上形成包含镉和硫的缓冲体层的第一部分，以产生1至20nm的所述第一部分的厚度，以及
通过以至少20nm/min的速率或不大于1Pa的工作压力溅射，形成包含镉和硫的所述缓冲体层的第二部分，其中，所述第二部分的厚度为至少15nm。
2.权利要求1所述的方法，其中，气氛是惰性的。
3.权利要求1或2所述的方法，其中，由镉和硫或其化合物的靶溅射。
4.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，以至少30nm/min的速率溅射所述第二部分。
5.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，以不大于1Pa的压力溅射所述第二部分。
6.权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，以小于8nm/min的速率溅射所述第一部分。
7.权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，以8-12Pa的压力溅射所述第一部分且第一层的厚度为5至15nm。
8.权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，所述基板是挠性的并且带有背面电接触。
9.权利要求1-8中任一项所述的方法，所述方法还包括：在所述缓冲体层的上方形成透明导电层。
10.权利要求9所述的方法，所述方法还包括：在所述透明导电层和所述缓冲体层之间形成窗口层。
11.权利要求9或10中任一项所述的方法，所述方法包括：在所述透明导电层上形成电连接格栅。
12.权利要求权利要求9-11中任一项所述的方法，所述方法包括：在所述透明导电层的上方设置阻挡体层。
13.权利要求11所述的方法，所述方法包括：在所述透明导电层和所述格栅的上方设置阻挡体层。
14.一种通过权利要求1-13所述的方法制成的光伏电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
