[发明专利]薄体MOSFET的阈值电压调节有效
| 申请号： | 201280052232.0 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103930998A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | M·J·布洛茨基;蔡明;郭德超;W·K·汉森;S·纳拉辛哈;梁玥;宋丽阳;王延锋;叶俊呈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种结构包括：衬底；在衬底上设置的晶体管，该晶体管包括由用碳注入的硅构成的鳍片；以及栅极介质层和栅极金属层，覆盖鳍片的限定晶体管的沟道的部分。在该结构中，选择在鳍片中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。还公开了制备鳍片FET晶体管的方法。同样公开了具有碳注入的阱的平面晶体管，其中选择在阱中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 薄体 mosfet 阈值 电压 调节 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：衬底；晶体管，设置在所述衬底之上，所述晶体管包括由注入有碳的硅构成的鳍片；以及栅极介质层和栅极金属层，遮盖所述鳍片的限定所述晶体管的沟道的部分，其中选择在所述鳍片中的碳浓度以建立所述晶体管的期望的电压阈值。
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