[发明专利]改良的沟槽内轮廓

摘要

在此描述一种在半导体基板中蚀刻凹部的方法。该方法可包含：在基板的沟槽中形成介电衬垫层，其中该衬垫层具有第一密度。该方法也可包含：至少部分位在该沟槽中于该衬垫层上沉积第二介电层。该第二介电层在沉积后最初为可流动，并且有第二密度，该第二密度低于该衬垫的第一密度。该方法可进一步包括：将该基板暴露至干式蚀刻剂，其中该蚀刻剂移除该第一衬垫层与该第二介电层的一部分而形成凹部，其中该干式蚀刻剂包括含氟化合物与分子氢，且其中移除该第一介电衬垫层与移除该第二介电层的蚀刻速率比为约1:1.2至约1:1。

主权项

一种在半导体基板中蚀刻凹部的方法，所述方法包含以下步骤：形成介电衬垫层于所述基板的沟槽中，其中所述衬垫层具有第一密度；至少部分位在所述沟槽中于所述衬垫层上沉积第二介电层，其中所述第二介电层在沉积后最初为可流动，且其中所述第二介电层具有第二密度，所述第二密度低于所述衬垫层的第一密度；将所述基板暴露至干式蚀刻剂，其中所述蚀刻剂移除所述第一衬垫层与所述第二介电层的一部分而形成所述凹部，其中所述干式蚀刻剂包括含氟化合物与分子氢，且其中移除所述第一介电衬垫层与移除所述第二介电层的蚀刻速率比为约1:1.2至约1:1。