[发明专利]用于在基板上沉积原子层的方法及装置在审
申请号: | 201280049602.5 | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN103874783A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 雷蒙德·詹考伯斯·威廉姆斯·克纳彭;鲁德·奥利斯拉格斯;丹尼斯·范·德·伯格曼;马蒂斯·C·范·德·伯;迪德里科·简·玛斯;雅克·科尔·乔安·范·德·东克;弗雷迪·罗泽博姆 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用科学研究组织 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52;C23C16/54;C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 周艳玲;王琦 |
地址: | 荷兰代*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种在基板上沉积原子层的方法。所述方法包括从可以是可旋转鼓状物的一部分的沉积头的前驱气体供应器供应前驱气体。所述前驱气体供应器对基板提供前驱气体。所述方法还包括通过沿着所述基板旋转所述沉积头来移动所述前驱气体供应器,接着所述基板沿着旋转鼓状物移动。所述方法还包括在以下两者之间切换:在旋转轨道的第一部分上从前驱气体供应器对基板供应所述前驱气体;以及在旋转轨道的第二部分上中断从前驱气体供应器供应所述前驱气体。 | ||
搜索关键词: | 用于 基板上 沉积 原子 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种在基板(4)上沉积原子层的方法,所述方法包括下列步骤:供应前驱气体步骤,从包括在沉积头(6)内的前驱气体供应器(8)对所述基板供应前驱气体(108),其中所述前驱气体供应器从气体源(108’)接收气体;反应步骤,使所述前驱气体在所述基板附近例如在其上反应,以形成原子层;其中所述沉积头具有输出面,在沉积所述原子层期间,所述输出面至少部分面对所述基板;并且所述输出面被提供有所述前驱气体供应器并具有大体上圆形形状,所述大体上圆形形状限定所述基板的移动路径;其中,所述方法还包括下列步骤:移动步骤,当供应所述前驱气体时,通过沿着旋转轨道(62)旋转所述沉积头而使所述前驱气体供应器沿着所述基板移动;由此沉积原子层的堆栈;以及切换步骤,在以下两者之间切换:在所述旋转轨道的第一部分(T1)上,从所述前驱气体供应器对所述基板供应所述前驱气体;以及在所述旋转轨道的第二部分(T2)上,中断从所述前驱气体供应器供应所述前驱气体;其中,当所述前驱气体供应器从所述旋转轨道的所述第一部分旋转到所述第二部分时,通过一个或更多阀提供供应和中断所述前驱气体供应器之间的切换,所述一个或更多阀配置在所述气体供应器和所述气体源之间的气体流动路径中。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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