[发明专利]太阳电池的制造方法有效
| 申请号： | 201280048866.9 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103918090A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 熊谷晃 | 申请（专利权）人： | JET股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 李郁;刘云贵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够在硅基板表面均匀形成织构的太阳电池的制造方法。其特征在于，具有：将上述硅基板（2）浸渍在含有氢氟酸的第1水溶液中，去除上述硅基板（2）表面的天然氧化膜的步骤；将去除上述天然氧化膜后的上述硅基板（2）浸渍在含有上述金属离子的第2水溶液中，通过非电解镀使上述金属离子附着在上述硅基板（2）表面的步骤；以及将附着有上述金属离子的上述硅基板（2）浸渍在含有氢氟酸和过氧化氢水的第3水溶液中，通过上述金属离子的催化反应，在上述硅基板（2）表面形成多孔质层（3）的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
太阳电池的制造方法，通过使用金属离子进行浸蚀，在硅基板的表面形成多孔质层，其特征在于，具有：将上述硅基板浸渍在含有氢氟酸的第1水溶液中，去除上述硅基板表面的天然氧化膜的步骤；将去除上述天然氧化膜后的上述硅基板浸渍在含有上述金属离子的第2水溶液中，通过非电解镀使上述金属离子附着在上述硅基板表面的步骤；以及，将表面附着有上述金属离子的上述硅基板浸渍在含有氢氟酸和过氧化氢水的第3水溶液中，通过上述金属离子的催化反应，在上述硅基板表面形成上述多孔质层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
