[发明专利]快速热处理腔室有效
申请号: | 201280048459.8 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN103858214B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 柯克·莫里茨;阿伦·缪尔·亨特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式大体涉及RTP腔室。该腔室通常包括腔室主体和腔室盖。该腔室主体包括基板支撑件,该基板支撑件具有多个电阻式加热器区域,以加热定位在该基板支撑件上的基板。该腔室主体视情况也包括冷却通道和热绝缘衬里,冷却通道用于缓和热应力,热绝缘衬里设置在该腔室主体中以容纳热处理期间产生的热。该腔室盖包括盖主体和反射板,该盖主体具有穿过该盖主体的开口,该反射板设置在该开口内。多个高温计定位在该反射板内,以在遍及该基板的多个位置处测量与基板支撑件的这些区域对应的基板的温度。每一个区域的温度被调整以响应来自多个高温计的信号。 | ||
搜索关键词: | 快速 热处理 | ||
【主权项】:
一种腔室,包含:腔室主体;基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述腔室主体内,所述基板支撑件具有多个区域,所述多个区域适于被独立地加热以加热定位在所述基板支撑件上的基板,其中电阻式加热元件设置在所述多个区域的每一个区域中;以及腔室盖,所述腔室盖设置在所述腔室主体上,所述腔室盖包含:盖主体,所述盖主体包含铝,所述盖主体具有圆形开口,所述圆形开口设置成穿过所述盖主体;反射板,所述反射板定位在所述圆形开口内,并且所述反射板具有表面,所述表面邻近于所述基板支撑件的上表面,所述反射板具有第一区段和环状唇部,所述第一区段具有第一直径,所述第一区段的尺寸被调整以装配到所述圆形开口内,所述环状唇部具有第二直径,所述第二直径大于所述第一直径,所述环状唇部定位成将所述反射板支撑在所述腔室盖的顶表面上;以及多个高温计,所述多个高温计设置成穿过形成在所述反射板中的开口,以在遍及所述基板表面的多个位置处测量所述基板的温度,其中所述多个高温计中的每一个高温计对应于所述多个区域中的每一个区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造