[发明专利]具有一体化背部片材和封装性能且包括包含结晶嵌段共聚物复合物或嵌段共聚物复合物的层的基于聚烯烃的多层膜有效
申请号: | 201280041364.3 | 申请日: | 2012-06-28 |
公开(公告)号: | CN103765607A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | J.E.伯尼坎普;胡玉山;N.E.尼克尔;L-L.褚;J.A.瑙莫维茨;M.G.霍菲阿斯 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049;B32B27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 孙梵 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 多层膜结构体包括顶部封装层A、底层C、以及顶层A和底层C之间的连接层B,多层膜结构体的特征在于连接层B包括结晶嵌段复合物树脂或嵌段复合物树脂,底层C包括具有至少一个大于125℃的熔点的聚烯烃。 | ||
搜索关键词: | 具有 一体化 背部 封装 性能 包括 包含 结晶 共聚物 复合物 基于 烯烃 多层 | ||
【主权项】:
多层膜结构体,其包括顶部封装层A、底层C以及位于层A和层C之间的连接层B,所述多层膜结构体的特征在于层B包括结晶嵌段共聚物复合物(CBC)或指定的嵌段共聚物复合物(BC)或所述复合物的混合物,所述层B包含:i)包含至少40摩尔%聚合的乙烯的乙烯聚合物(EP);ii)基于α‑烯烃的结晶聚合物(CAOP),和iii)嵌段共聚物,其包含(a)包含至少40摩尔%聚合的乙烯的乙烯聚合物嵌段和(b)结晶α‑烯烃嵌段(CAOB),以及特征在于底层C包括具有至少一个大于125℃的熔点的聚烯烃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的