[发明专利]固态图像传感器有效
申请号: | 201280041304.1 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN103765584A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 加藤太朗 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种固态图像传感器包括具有光电转换部分的半导体层和布置于所述半导体层的第一面侧的布线结构,并从所述半导体层的第二面侧接收光。所述布线结构包括反射部分和绝缘膜,所述反射部分具有朝向所述半导体层反射从第二面向第一面透过所述半导体层的光的反射表面,所述绝缘膜位于所述反射表面与第一面之间。所述传感器包含第一介电膜和第二介电膜,第一介电膜被布置为接触第一面,第二介电膜被布置于所述绝缘膜与第一介电膜之间,并具有与第一介电膜和所述绝缘膜的折射率不同的折射率。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种固态图像传感器,所述固态图像传感器包括具有多个光电转换部分的半导体层和布置于所述半导体层的第一面侧的布线结构,并从所述半导体层的第二面侧接收光,其中所述布线结构包括反射部分和绝缘膜,所述反射部分具有朝向所述半导体层反射从第二面向第一面透过所述半导体层的光的反射表面,所述绝缘膜位于所述反射表面与第一面之间,以及所述固态图像传感器包含第一介电膜和第二介电膜,第一介电膜被布置为接触第一面,第二介电膜被布置于所述绝缘膜与第一介电膜之间,并具有与第一介电膜和所述绝缘膜的折射率不同的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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