[发明专利]固态图像传感器有效
申请号: | 201280041304.1 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN103765584A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 加藤太朗 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 | ||
技术领域
本发明涉及固态图像传感器。
背景技术
美国专利No.7,755,123描述了其中基板的厚度被减小以允许光电传感器容易地检测入射在后表面上的光的后侧照射成像装置。本说明书所附的图8引用了美国专利No.7,755,123的图1C中描述的后侧照射成像装置。美国专利No.7,755,123中描述的成像装置包括朝向光电传感器110反射入射在半导体装置基板104的后表面上并透过半导体装置基板104的后表面的光子的辐射(radiation)反射器128。
但是,利用美国专利No.7,755,123中描述的布置,作为半导体装置基板104与介电层118之间的界面(interfacial surface)的前侧106f朝向辐射反射器128反射被辐射反射器128朝向光电传感器110反射的光子。因此,在界面106f与辐射反射器128之间发生多重反射。并且,当界面106f与辐射反射器128之间的距离在图像感测表面之上不均匀时,返回到光电传感器110的光子的量变动,由此导致灵敏度变动。
发明内容
本发明提供有利于提高灵敏度并消除灵敏度变动的技术。
本发明的方面之一提供一种固态图像传感器,所述固态图像传感器包括具有多个光电转换部分的半导体层和布置于所述半导体层的第一面侧的布线结构,并从所述半导体层的第二面侧接收光,其中,所述布线结构包括反射部分和绝缘膜,所述反射部分具有朝向所述半导体层反射从第二面向第一面透过所述半导体层的光的反射表面,所述绝缘膜位于所述反射表面与第一面之间,以及,所述固态图像传感器包含第一介电膜和第二介电膜,第一介电膜被布置为接触第一面,第二介电膜被布置于所述绝缘膜与第一介电膜之间,并具有与第一介电膜和所述绝缘膜的折射率不同的折射率。
从(参照附图)对示例性实施例的以下描述,本发明的进一步的特征将变得明显。
附图说明
图1A和图1B是示出根据第一实施例的固态图像传感器的布置的示图;
图2是示出根据第一实施例的固态图像传感器的布置的示图;
图3是示出根据第一实施例的固态图像传感器的功能的示图;
图4是例示第一面的反射率的波长依赖性的曲线图;
图5是例示反射结构部分的反射率的曲线图;
图6是例示包含反射表面的表面的反射率与反射结构部分的反射率之间的关系的曲线图;
图7是示出根据第二实施例的固态图像传感器的布置的示图;以及
图8是用于解释美国专利No.7,755,123中描述的固态成像装置的示图。
具体实施方式
以下将参照图1A和1B以及图2至图6描述根据本发明的第一实施例的固态图像传感器100。图1A是固态图像传感器100的沿与其图像感测表面垂直的平面获取的截面图,并且,为了简化的目的,仅示出两个像素。注意,图像感测表面是其上布置像素阵列的表面。通过排列多个像素形成像素阵列。图1B是固态图像传感器100的抗反射层114的沿与其图像感测表面垂直的平面(与图1A不同)获取的截面的放大图。图2是固态图像传感器100的沿作为与其图像感测表面平行的平面的图1A中的A-A′平面获取的截面图。固态图像传感器100可被配置为例如MOS图像传感器或CCD图像传感器。
固态图像传感器100具有半导体层101,该半导体层101具有第一面120和第二面121。例如,可通过硅基板配置半导体层101。固态图像传感器100还具有布置于半导体层101的第一面120侧的布线结构WS、以及布置于半导体层101的第二面121侧的滤色器层107。滤色器层107可包含第一滤色器107a、第二滤色器107b和第三滤色器107c(未示出)。在这种情况下,第一滤色器107a可以是蓝色滤色器,第二滤色器107b可以是绿色滤色器,而第三滤色器107c可以是红色滤色器。例如,可通过Bayer矩阵限定第一滤色器107a、第二滤色器107b和第三滤色器107c的布置。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的