[发明专利]用于监测复用加热器阵列的温度并控制该阵列的系统和方法有效
申请号: | 201280040080.2 | 申请日: | 2012-08-16 |
公开(公告)号: | CN103828031B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 约翰·皮斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/477 | 分类号: | H01L21/477 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种测量在用于支撑在半导体处理装置中的半导体衬底的衬底支撑组件中的多区加热板的温度并控制该多区加热板的系统,该系统包括电流测量装置和开关装置。第一开关装置将所述功率回线中独立于其它功率回线选择性地连接到电接地、电压源或电隔离端。第二开关装置将所述功率供给线独立于其它功率供给线选择性地连接到所述电接地、功率源、所述电流测量装置或电隔离端。所述系统可用于通过测取串联连接到平面加热区域的二极管的反向饱和电流的电流读数,计算加热区域的温度和供电每个加热器区域,以实现期望的温度分布,从而保持所需的加热板的温度分布。 | ||
搜索关键词: | 用于 监测 加热器 阵列 温度 控制 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种能操作以测量在用于支撑在半导体处理装置中的半导体衬底的衬底支撑组件中的多区加热板的温度并控制该多区加热板的系统,所述加热板包括多个平面加热器区域、多个二极管、多个功率供给线和多个功率回线,其中,每个平面加热器区域具有至少一个加热器元件,被连接到所述功率供给线中的一个和所述功率回线中的一个,并且没有两个平面加热器区域共享同一对功率供给线和功率回线,以及二极管串联连接在每个平面加热器区域和连接到其上的所述功率供给线之间或在每个平面加热器区域和连接到其上的所述功率回线之间,使得该二极管不允许电流沿着从所述功率回线通过所述平面加热器区域到达所述功率供给线的方向流动;所述系统包括:第一开关装置,其配置成将所述功率回线中的每一个独立于其它功率回线选择性地连接到电接地、电压源或第一电隔离端;第二开关装置,其配置成将所述功率供给线中的每一个独立于其它功率供给线选择性地连接到所述电接地、功率源、电流测量装置或第二电隔离端,其中所述电流测量装置连接在所述电接地和所述第二开关装置之间;和校准装置,所述校准装置连接在所述电流测量装置和所述电压源之间,其中所述校准装置通过通断开关连接到所述电流测量装置。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造