[发明专利]图案测量装置以及图案测量方法

摘要

本发明提供一种图案测量装置，以及图案测量方法，可削减OPC model calibration所需的计算时间、且使精度提高。图案测量装置具备：存储半导体的电路图案的掩模边缘数据以及拍摄了电路图案的图像数据的存储部；以图像数据作为输入而提取电路图案的SEM(Scanning Electron Microscope)轮廓线，基于掩模边缘数据和提取的SEM轮廓线的数据(SEM轮廓线数据)，在曝光模拟部生成预测SEM轮廓线的数据(预测SEM轮廓线数据)的SEM轮廓线提取部；以掩模边缘数据、SEM轮廓线数据、预测轮廓线数据作为输入，将SEM轮廓线数据以及预测SEM轮廓线数据分类为一维形状的轮廓线和二维形状的轮廓线的形状分类部；以SEM轮廓线数据和预测SEM轮廓线数据作为输入，对应于一维形状以及二维形状的种类，进行SEM轮廓线数据的取样的SEM轮廓线取样部。

主权项

一种图案测量装置，其特征在于，具备：存储部，其存储半导体的电路图案的掩模边缘数据、以及拍摄了所述电路图案的图像数据；S E M轮廓线提取部，其以所述图像数据作为输入而提取所述电路图案的S E M(Scanning Electron Microscope)轮廓线，基于所述掩模边缘数据与提取的所述S E M轮廓线的数据(S E M轮廓线数据)，在曝光模拟部生成预测S E M轮廓线的数据(预测S E M轮廓线数据)；形状分类部，其以所述掩模边缘数据、所述S E M轮廓线数据、和所述预测轮廓线数据作为输入，将所述S E M轮廓线数据以及所述预测S E M轮廓线数据分类为一维形状的轮廓线与二维形状的轮廓线；以及S E M轮廓线取样部，其以所述S E M轮廓线数据和所述预测S E M轮廓线数据作为输入，对应于所述一维形状以及所述二维形状的种类，进行所述S E M轮廓线数据的取样。