[发明专利]包含电和光学互连的半导体晶片接合有效
| 申请号： | 201280034281.1 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN103650266B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | H.S.埃尔-霍罗里;庄奇理;K.亚达瓦利;范谦 | 申请（专利权）人： | 奥斯坦多科技公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01L27/146;H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王岳,徐红燕 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于接合需要在接合的晶片之间并且跨越接合边界转移电和光学信号的半导体晶片的方法。用于半导体晶片的接合的方法包含在晶片接合边界内形成电和光学互连通孔以在接合的晶片之间转移电和光学信号。使用许多金属柱跨越接合表面形成电通孔，每个金属柱由跨越接合表面融合的多个金属层构成。使用许多光波导跨越接合表面形成光通孔，每个光波导由跨越接合边界融合的介电材料构成并且具有比接合的晶片之间的介电中间接合层的折射率高的折射率。电和光学通孔跨越接合的晶片之间的接合表面散步以实现电和光学信号两者在接合的晶片之间的一致转移。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 光学 互连 半导体 晶片 接合 | ||
【主权项】：
一种用于半导体晶片接合的方法，包括：通过以下方式形成所述晶片的接合表面以用于接合的晶片之间电和光学信号的转移：在每个晶片的表面上形成介电中间接合层，在该表面内嵌入分别用于光学和电信号的转移的光学互连和电互连两者；将在一个晶片上的光学互连与在第二晶片上的光学互连融合，将在一个晶片上的电互连与在第二晶片上的电互连融合以及将在一个晶片上的介电中间接合层与在第二晶片上的介电中间接合层融合，以接合晶片连同在晶片之间的电互连和光学互连。
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