[发明专利]绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 201280033829.0 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN103650148A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | M.安登纳;M.拉希莫;C.科瓦斯塞;A.科普塔 | 申请（专利权）人： | ABB技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;刘春元 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBT，其具有发射极侧(11)上的发射极电极(2)与集电极侧(15)上的集电极电极(25)之间的层，包括：集电极侧(15)上的集电极层(9)，漂移层(8)，第二传导率类型的基极层(4)，第一源区(7)，其在基极层(4)上朝发射极侧(11)设置，沟槽栅电极(3)，其设置在基极层(4)的侧面，并且比基极层(4)更深地延伸到漂移层(8)中，阱(5)，其设置在基极层(4)的侧面，并且比基极层(4)更深地延伸到漂移层(8)中，增强层(6)，其围绕基极层(4)，使得增强层(6)将基极层(4)与漂移层(8)和阱(5)完全分隔，作为对发射极电极(2)的补充的导电层(32)，其覆盖阱(5)，其中导电层(32)通过第二电绝缘层(36)与阱(5)分隔，第三绝缘层(38)，其在导电层(32)之上具有凹口(39)，使得导电层(32)电接触发射极电极(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，具有发射极侧(11)上的发射极电极(2)和与所述发射极侧(11)相对的集电极侧(15)上的集电极电极(25)之间的层，包括：‑ 第一传导率类型的漂移层(8)，‑ 与所述第一传导率类型不同的第二传导率类型的集电极层(9)，其设置在所述漂移层(8)与所述集电极电极(25)之间，并且电接触所述集电极电极(25)，‑ 第二传导率类型的基极层(4)，所述基极层(4)设置在所述漂移层(8)与所述发射极电极(2)之间，所述基极层(4)电接触所述发射极电极(2)，‑ 所述第一传导率类型的第一源区(7)，其在所述基极层(4)上朝所述发射极侧(11)设置，并且电接触所述发射极电极(2)，所述第一源区(7)具有比所述漂移层(8)要高的掺杂浓度，‑ 沟槽栅电极(3)，其设置在所述基极层(4)侧面，并且比所述基极层(4)更深地延伸到所述漂移层(8)中，并且所述沟槽栅电极(3)通过第一绝缘层(34)与所述基极层(4)、所述第一源区(7)和所述漂移层(8)分隔，其中沟道能在所述发射极电极(2)、所述第一源区(7)、所述基极层(4)和所述漂移层(8)之间形成，‑ 所述第二传导率类型的阱(5)，其设置在所述基极层(4)的侧面，并且比所述基极层(4)更深地延伸到所述漂移层(8)中，‑ 所述第一传导率类型的增强层(6)，其围绕所述基极层(4)，使得所述增强层(6)将所述基极层(4)与所述漂移层(8)和所述阱(5)完全分隔，‑ 作为对所述发射极电极(2)的补充的导电层(32)，其覆盖所述阱(5)，其中所述导电层(32)通过第二电绝缘层(36)与所述阱(5)分隔，‑ 第三绝缘层(38)，其在所述发射极侧(11)上设置在所述沟槽栅电极(3)、所述导电层(32)、以及所述基极层(4)、所述增强层(6)和所述漂移层(8)中位于所述沟槽栅电极(3)与所述阱(5)之间的那些部分之上，并且其在所述导电层(32)之上具有凹口(39)，使得所述导电层(32)电接触所述发射极电极(2)。
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