[发明专利]衬底、半导体器件及其制造方法

摘要

提供了能够实现降低在形成外延膜或半导体元件的步骤中产生的缺陷的概率的衬底、包括该衬底的半导体器件和制造半导体器件的方法。衬底（1）是具有前表面和背表面的衬底（1），其中，前表面的至少一部分由单晶碳化硅构成，衬底具有不大于0.5nm的在前表面处的表面粗糙度Ra的平均值，该表面粗糙度Ra的标准偏差σ不大于0.2nm，不小于0.3nm并且不大于10nm的在背表面处的表面粗糙度Ra的平均值，并且该表面粗糙度Ra的标准偏差σ不大于3nm，以及不小于110mm的前表面的直径。

主权项

一种具有前表面（11）和背表面（12）的衬底（1），在所述衬底（1）中，所述前表面（11）的至少一部分由单晶碳化硅构成，所述衬底具有：不大于0.5nm的、在所述前表面（11）处的表面粗糙度Ra的平均值，并且所述表面粗糙度Ra的标准偏差不大于0.2nm；不小于0.3nm并且不大于10nm的、在所述背表面（12）处的表面粗糙度Ra的平均值，并且所述表面粗糙度Ra的标准偏差不大于3nm；以及不小于110mm的所述前表面（11）的直径。